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FCX1051ATA中文资料

FCX1051ATA图片

FCX1051ATA外观图

  • 大小:304.9KB
  • 厂家:Diodes Inc.
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:3A; Gain Bandwidth ft Typ:155MHz; Hfe Min:270; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vcbo:150V
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):340mV @ 100mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):10nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):290 @ 10mA,2V
  • 功率 - 最大:1W
  • 频率 - 转换:155MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:SOT-89-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FCX1051ATR

FCX1051ATA供应商

更新时间:2023-01-01 02:58:19
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